晶圆切割：从磨砂处理到芯片“诞生”
切割晶圆，“刀法”需精准。从磨砂到切割，再到检测，晶圆变成单个芯片的过程是怎样的？
晶圆切割的良率
晶圆的良率非常重要，它最终决定晶圆的成本以及能否量产。良率还需要细分为晶圆良率、裸片良率和封测良率，总良率就是这三种良率的总和。例如，如果晶圆厂的一条生产线上的每道工序的良率高达99%，那么600道工序后的整体良率是多少？答案是 0.24%，几乎是 0。
从晶圆制造、中期测试、封装到最终测试，每一步都会对良率产生影响。晶圆良率越高，在同一晶圆上可以生产出的芯片就越好。
晶圆良率受制程设备、原材料等因素影响较大，要获得更高的晶圆良率，首先要稳定制程设备，定期恢复制程能力。另外，环境因素对wafer、Die、封测良率这三个良率都有一定的影响。常见的环境因素包括灰尘、湿度、温度和光线亮度。因此，芯片制造和封装测试的过程需要在超洁净的工作环境中进行。最后，还有技术成熟度的问题。一般情况下，新工艺出来时，良率会很低。随着生产的推进和导致良率低的因素被发现和改进，良率将不断提高。
如何控制晶圆良率
对于晶圆制造实际生产线来说，每台制造设备的稳定性都是非常重要的。如何减少晶圆切割损耗，降低成本，保证良率？
在大理石精密平台研发和制造方面，国内企业克洛诺斯走在行业前列。克洛诺斯汇聚了行业精英人才，拥有现代化的管理方式，在2021年，成功研发一台超精密气浮运动平台，重复定位精度达±50nm，可应用于晶圆切割工艺中。
克洛诺斯±50nm气浮运动平台是定位晶圆或芯片的部件设备，具有配套的精密移动定位功能，主要特点：自主研发、重复定位精度 ±50nm、具有极高的精度和稳定性。晶圆的切割技术对提高成品率和封装效率有着重要影响，同时晶圆的大小也影响IC的成本，晶圆越大，对划片（切割）设备的精度要求也越高。
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